The potential of III-V semiconductors as terrestrial photovoltaic devices (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• The potential of III-V semiconductors as terrestrial photovoltaic devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/pip.715 (literal)

Alternative label

• Bosi Matteo; Pelosi Claudio (2007)
  The potential of III-V semiconductors as terrestrial photovoltaic devices
  in Progress in photovoltaics (Print); John Wiley & Sons Ltd., Chichester (Regno Unito)
  (literal)

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• Bosi Matteo; Pelosi Claudio (literal)

Pagina inizio

• 51 (literal)

Pagina fine

• 68 (literal)

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• 1) Siamo favorevoli alla valutazione della ricerca. Tuttavia prima si devono definire criteri e obiettivi dell'attivita' da svolgere e poi, al termine del periodo, si valutano i risultati. 2) I criteri devono essere coerenti con la missione dell'ente oggetto della valutazione: CNR e Universita' hanno finalita' diverse 3) Il presente metodo di valutazione ha molti limiti e rischia di produrre risultati distorti. Per esempio il lavoro di squadra, essenziale per progetti di ricerca applicata, viene fortemente penalizzato. (literal)

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• http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.715/abstract (literal)

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• 15 (literal)

Rivista

• Progress in photovoltaics (Rivista)

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• 1 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• IMEM-CNR Institute, Parco area delle Scienze 37/A, 43010 Fontanini (Parma), Italy (literal)

Titolo

• The potential of III-V semiconductors as terrestrial photovoltaic devices (literal)

Abstract

• III-V semiconductors, GaAs and in particular InGaP, are used in many different electronic applications, such as high power and high frequency devices, laser diodes and high brightness LED. Their direct bandgap and high reliability make them ideal candidates for the realisation of high efficiency solar cells: in the past years they have been successfully used as power sources for satellites in space, where they are able to produce electricity from sunlight with an overall efficiency of around 30%. Nowadays, the use of arsenides and phosphides as photovoltaic (PV) devices is confined only to space applications since their price is much higher than conventional Si flat panel modules, the leading PV market technology. But with the introduction of multijunction solar cells capable of operating in high concentration solar light, the area and, therefore, the cost of these cells can be reduced and will eventually find an application and market also on Earth. This article will review the situation of semiconductor solar cell materials, focusing on Si, GaAs, InGaP and multijunction solar cells and will discuss future trends and possibilities of bringing III-V technology from space to Earth. (literal)

Editore

• John Wiley & Sons Ltd. (Editore)

Prodotto di

• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• MATTEO BOSI (Unità di personale esterno)
• CLAUDIO PELOSI (Persona)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CLAUDIO PELOSI (Persona)
• MATTEO BOSI (Unità di personale esterno)

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• Progress in photovoltaics (Rivista)

Editore di

• John Wiley & Sons Ltd. (Editore)