Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2358397 (literal)

Alternative label

• Gurioli M. a; Zamfirescu M. a; Vinattieri A. a; Sanguinetti S. b; Grilli E. b; Guzzi M. b; Mazzucato S. c; Polimeni A. c; Capizzi M. c; Seravalli L. d; Frigeri P. d; Franchi S. (2006)
  Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures
  in Journal of applied physics; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Gurioli M. a; Zamfirescu M. a; Vinattieri A. a; Sanguinetti S. b; Grilli E. b; Guzzi M. b; Mazzucato S. c; Polimeni A. c; Capizzi M. c; Seravalli L. d; Frigeri P. d; Franchi S. (literal)

Pagina inizio

• 084313-1 (literal)

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• PACS: 81.65.Rv, 78.67.Hc, 78.55.Cr, 78.47.-p, 73.63.Kv, 42.70.Nq (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v100/i8/p084313_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

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• 4 (literal)

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• 8 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• Google Scholar (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• a Dipartimento di Fisica, CNISM, Universit? di Firenze, Via Sansone 1, I-50019, Sesto Fiorentino, Italy; b Dipartimento di Scienza Dei Material, CNISM, Universit? di Milano-Bicocca, Via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy; c Dipartimento di Fisica, CNISM, Universit? di Roma la Sapienza, I-00185 Roma, Italy; d CNR-IMEM Institute, Parco delle Scienze 37A, I-43100 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures (literal)

Abstract

• The effects of hydrogen incorporation on carrier relaxation and recombination efficiencies in a large series of InAs self-assembled quantum dot structures deposited on InGaAs lower confining layers with different thicknesses and compositions have been addressed. With increasing H dose we observe an improvement in the radiative efficiency. By comparing steady state and time resolved photoluminescence measurements, it is established that the H passivation does not enhance the relaxation and capture efficiencies, but instead directly improves the emission yield from carriers in the dots. We therefore conclude that the H-passivated defects are located nearby, or even inside, the dots. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

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• Journal of applied physics (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures" (Insieme di parole chiave)