Conducting In-doped CdTe oxide thin films grown by pulsed-laser deposition (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Conducting In-doped CdTe oxide thin films grown by pulsed-laser deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Castro Rodríguez R.; Peña J.L.; Leccabue F.; Watts B.E.; and Melioli E. (2005)
  Conducting In-doped CdTe oxide thin films grown by pulsed-laser deposition
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Castro Rodríguez R.; Peña J.L.; Leccabue F.; Watts B.E.; and Melioli E. (literal)

Pagina inizio

• 061916 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 87 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (literal)

Titolo

• Conducting In-doped CdTe oxide thin films grown by pulsed-laser deposition (literal)

Abstract

• Conducting transparent oxide semiconductor In-doped CdTe oxide (ICTO) thin films (similar to 200 nm thick) have been deposited by pulsed-laser deposition on glass substrates without a postdeposition anneal. The electrical, structural, and optical properties of these films have been investigated as a function of O-2 partial pressures during the deposition. Films were deposited at substrate temperature of 420 degrees C in oxygen partial pressures between 15 and 55 mTorr. The resistivity is very sensitive to the oxygen deposition pressure; at 28.5 mTorr the films show electrical resistivities as low as 9.4x10(-3) Omega cm, an average visible transmittance of similar to 75.5%, and an optical band gap of 2.74 eV. (c) 2005 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Ossidi nanostrutturati per sensoristica e fotovoltaico (SP.P02.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• ENRICO MELIOLI (Unità di personale interno)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• FABRIZIO LECCABUE (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO LECCABUE (Unità di personale interno)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• ENRICO MELIOLI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Ossidi nanostrutturati per sensoristica e fotovoltaico (SP.P02.003.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)