Evaluating the effects of internal gettering in epi Si (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Evaluating the effects of internal gettering in epi Si (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Frigeri C.1, Borionetti G.2, Godio P.2 (2003)
    Evaluating the effects of internal gettering in epi Si
    in Solid state technology
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Frigeri C.1, Borionetti G.2, Godio P.2 (literal)
Pagina inizio
  • 41 (literal)
Pagina fine
  • 46 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 46 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, Fontanini, 43010, Parma, Italy 2 MEMC Electronic Materials SpA, Viale Gherzi 31, 28100 Novara, Italy (literal)
Titolo
  • Evaluating the effects of internal gettering in epi Si (literal)
Abstract
  • A rigorous study of the efficiency of internal gettering under different conditions, comparing it to external and p(+) gettering, has shown it to be effective in p(+) substrates with backside polysilicon. This is true when the density of oxygen precipitates is high and their size small. However, internal gettering is not effective for a low density of oxygen precipitates when using either p(+) substrates or polysilicon. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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