Role of strain on the wavy growth onset in strain-balanced InGaAs-based multiquantum wells (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Role of strain on the wavy growth onset in strain-balanced InGaAs-based multiquantum wells (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.1522744 (literal)
Alternative label
  • Nasi L., Ferrari C., Lazzarini L., Clarke G. (2002)
    Role of strain on the wavy growth onset in strain-balanced InGaAs-based multiquantum wells
    in Journal of applied physics
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Nasi L., Ferrari C., Lazzarini L., Clarke G. (literal)
Pagina inizio
  • 7678 (literal)
Pagina fine
  • 7680 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
  • L’applicazione di questo modello si estende facilmente alla progettazione e realizzazione di celle solari a multigiunzione di semiconduttori III-V per applicazioni terrestri ad elevata efficienza, destinati al funzionamento con concentratori solari. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 92 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Nell’ambito del progetto finanziato dalla UE “A Thermophotovoltaic Power Generator for Hybrid Electric Vehicles (THE REV- contract No ERK6-CT-1999-00019)”, è stato sviluppato un modello che ha consentito la progettazione e realizzazione di strutture a multi-quantum wells di InGaAs/InGaAs a strain bilanciato da utilizzare come parti attive in celle termofotovoltaiche ad elevata efficienza operanti in un range spettrale centrato attorno ai 2mm. Strutture di questo tipo sono infatti caratterizzate da fluttuazioni laterali di spessore degli strati che possono dare origine a cluster di difetti estesi che ne penalizzano drasticamente le possibili prestazioni. I risultati di un’indagine sistematica di questi sistemi mediante le tecniche TEM, CL, HRXRD, XRT e AFM hanno permesso di individuare l’esistenza di un valore critico della densità di energia elastica per l’attivazione di queste fenomeno, che è risultato essere fortemente dipendente dalla temperatura di crescita. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • IMEM-CNR, Parma; IQE-Ltd, Cardiff (UK); (literal)
Titolo
  • Role of strain on the wavy growth onset in strain-balanced InGaAs-based multiquantum wells (literal)
Abstract
  • Different strain-balanced InGaAs/InGaAs multiquantum wells (MQWs) were grown on (001) InP by changing the In composition in the wells and in the barriers in order to extend the absorption edge beyond 2 mu m for thermophotovoltaic applications. The increase of the elastic strain in the structures results in the formation of isolated highly defected regions having their origin from lateral layer thickness modulations. Experimental results are consistent with the existence of a critical elastic energy density for the development of MQW waviness. An empirical model to predict the maximum number of layers that can be grown without modulations as a function of the strain energy stored in the MQW period is presented. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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