M/Si-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, a-particle and photon detection (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• M/Si-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, a-particle and photon detection (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/ASDAM.2014.6998643 (literal)

Alternative label

• Dubecky F.; Zat'Ko B.; Vanko G.; Hubik P.; Oswald J.; Kindl D.; Gombia E.; Kovac J.; Sagatova A.; Necas V. (2014)
  M/Si-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, a-particle and photon detection
  in Tenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice, Slovakia, 20-22 Ottobre 2014
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Dubecky F.; Zat'Ko B.; Vanko G.; Hubik P.; Oswald J.; Kindl D.; Gombia E.; Kovac J.; Sagatova A.; Necas V. (literal)

Pagina inizio

• 49 (literal)

Pagina fine

• 52 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84921754582&partnerID=q2rCbXpz (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Tenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Institute of Electrical Engineering, SAS, Dúbravská cesta 9, Bratislava, 841 04, Slovakia; Institute of Physics, ASCR, V.v.i., Cukrovarnická 10, Praha 6, 162 00, Czech Republic; IMEM, CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, Parma, 43124, Italy; FEEIT, Ilkovi?ova 3, Bratislava, 812 19, Slovakia (literal)

Titolo

• M/Si-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, a-particle and photon detection (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Breza J., Donoval D., Vavrinski E. (literal)

Abstract

• M/Semi-insulating (SI) GaAs/M diodes with novel Mg-based metallization are investigated using current-voltage measurement, ?-particle and photon detection. An anomalous decrease of the reverse current and peculiar photon spectra has been observed with such contact explainable by a strong electron accumulation due to the creation of a quasi-degenerate region at the Mg/SI-GaAs interface. (literal)

Editore

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)

Prodotto di

• Sensori di raggi X (SP.P02.003.002) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ENOS GOMBIA (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sensori di raggi X (SP.P02.003.002) (Modulo)

Autore CNR di

• ENOS GOMBIA (Persona)

Editore di

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)