Voltage snapback in amorphous-GST memory devices: Transport model and validation (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Voltage snapback in amorphous-GST memory devices: Transport model and validation (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/TED.2011.2168402 (literal)

Alternative label

• Rudan M.; Giovanardi F.; Piccinini E.; Buscemi F.; Brunetti R.; Jacoboni C. (2011)
  Voltage snapback in amorphous-GST memory devices: Transport model and validation
  in I.E.E.E. transactions on electron devices
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rudan M.; Giovanardi F.; Piccinini E.; Buscemi F.; Brunetti R.; Jacoboni C. (literal)

Pagina inizio

• 4361 (literal)

Pagina fine

• 4369 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-82155175610&partnerID=q2rCbXpz (literal)

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• 58 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 12 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• University of Bologna, 40125 Bologna, Italy; Center S3, CNR-Institute of Nanosciences, University of Modena and Reggio Emilia, 41125 Modena, Italy (literal)

Titolo

• Voltage snapback in amorphous-GST memory devices: Transport model and validation (literal)

Abstract

• Charge transport in amorphous chalcogenide-GST used for memory devices is modeled using two contributions: hopping of trapped electrons and motion of band electrons in extended states. The type of feedback that produces the snapback phenomenon is described as a filamentation in energy that is controlled by electron-electron interactions between trapped electrons and band electrons. The model thus derived is implemented within a state-of-the-art simulator. An analytical version of the model is also derived and is useful for discussing the snapback behavior and the scaling properties of the device. © 2011 IEEE. (literal)

Prodotto di

• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.003) (Modulo)

Autore CNR

• ROSSELLA BRUNETTI (Unità di personale esterno)
• CARLO JACOBONI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Voltage snapback in amorphous-GST memory devices: Transport model and validation" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROSSELLA BRUNETTI (Unità di personale esterno)
• CARLO JACOBONI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.003) (Modulo)

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• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Voltage snapback in amorphous-GST memory devices: Transport model and validation" (Insieme di parole chiave)