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Silicon nanowires: Synthesis, optical properties and applications (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Silicon nanowires: Synthesis, optical properties and applications (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1002/pssc.201400052 (literal)
- Alternative label
D'Andrea, Cristiano; José Lo Faro, Maria; Musumeci, Paolo; Fazio, Barbara; Iacona, Fabio; Franzò, Giorgia; Gucciardi, Pietro Giuseppe; Vasi, Cirino S.; Priolo, Francesco; Irrera, Alessia (2014)
Silicon nanowires: Synthesis, optical properties and applications
in Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics (Print)
(literal)
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- D'Andrea, Cristiano; José Lo Faro, Maria; Musumeci, Paolo; Fazio, Barbara; Iacona, Fabio; Franzò, Giorgia; Gucciardi, Pietro Giuseppe; Vasi, Cirino S.; Priolo, Francesco; Irrera, Alessia (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-84921047587&origin=inward (literal)
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- Rivista
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- Note
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- Consiglio Nazionale delle Ricerche; Universita degli Studi di Catania; Scuola Superiore di Catania (literal)
- Titolo
- Silicon nanowires: Synthesis, optical properties and applications (literal)
- Abstract
- Group-IV semiconductor nanowires (NWs) are attracting the interest of a wide scientific community as building blocks for a wide range of future nanoscaled devices. We used metal-assisted chemical etching of Si substrates to synthesize Si NWs with different length and nanometer-size diameter. NWs obtained by this technique have exactly the same structure and doping of the substrate and present quantum confinement effects. Photoluminescence (PL) emission at room temperature from Si NWs is reported. We observed an increasing behaviour of the PL intensity as a function of the NWs length. The fabrication of light emitting devices based on Si NWs, showing electroluminescence emission at room temperature under low voltage excitation, is also reported. (literal)
- Prodotto di
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