Al+ Implanted Anode for 4H-SiC p-i-n Diodes (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Al+ Implanted Anode for 4H-SiC p-i-n Diodes (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1149/05003.0391ecst (literal)

Alternative label

• Nipoti, R.; Di Benedetto, L.; Albonetti, C.; Bellone, S. (2012)
  Al+ Implanted Anode for 4H-SiC p-i-n Diodes
  in 2nd Symposium on Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) Power Technologies as part of ECS Fall Meeting, Honolulu, HI, OCT 07-12, 2012
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Nipoti, R.; Di Benedetto, L.; Albonetti, C.; Bellone, S. (literal)

Pagina inizio

• 391 (literal)

Pagina fine

• 397 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://ecst.ecsdl.org/content/50/3/391.full.pdf+html (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 50 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 50 (literal)

Rivista

• ECS transactions (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM Bologna, Università degli Studi di Salerno, CNR-ISMN Bologna; Università degli Studi di Salerno (literal)

Titolo

• Al+ Implanted Anode for 4H-SiC p-i-n Diodes (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-1-60768-351-3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Shenai, K; Dudley, M; Ohtani, N; Bakowski, M; Garg, R (literal)

Abstract

• Simulations of hole injection and forward current-voltage characteristics of Al+ implanted 4H-SiC p-i-n diodes have been performed for different values of hole densities in the ion implanted anode and different thicknesses of the base. Both the parameters are more elevated for thinner base values because of a less effective recombination but identical injection and increase with the increasing of the anode hole density up saturate because of a reduced effective majority carrier density in the electrodes with respect to real majority carrier density values due to the 4H-SiC band gap shrinking up to an effective carrier saturation. For Al p-type doping of 4H-SiC simulations show effective carrier of few units 10(18) cm(-3) and saturation to 5 x 10(18) cm(-3) for real hole density >= 5 x 10(18) cm(-3). In Al+ implanted 4H-SiC such hole density values can be obtained for implanted Al concentration of about 2 x 10(20) cm(-3) and 1950 degrees C/5 min annealing. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CRISTIANO ALBONETTI (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CRISTIANO ALBONETTI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• ECS transactions (Rivista)