Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.237 (literal)

Alternative label

• Nath, A.; Scaburri, R.; Rao, Mulpuri V.; Nipoti, R. (2012)
  Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC
  in 14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, OH, SEP 11-16, 2011
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Nath, A.; Scaburri, R.; Rao, Mulpuri V.; Nipoti, R. (literal)

Pagina inizio

• 237 (literal)

Pagina fine

• 240 (literal)

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• http://www.scientific.net/MSF.717-720.237 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 717-720 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 717-720 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• George Mason University; CNR-IMM of Bologna; George Mason University; CNR-IMM of Bologna (literal)

Titolo

• Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-3-03785-419-8 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Devaty, RP; Dudley, M; Chow, TP; Neudeck, PG (literal)

Abstract

• A global minimum search weighted and non-weighted least squares algorithm has been employed for a comparative study of various possible models to describe electrical properties of high dose Al implanted 4H-SiC. A wide range of experimental data has been taken from the literature to validate the model. It was found that a single activation energy level, a temperature dependent Hall scattering factor and a degeneracy factor equal to 4 lead to a satisfactory fitting of experimental Hall data up to an Al substitutional density of 10(20) cm(-3) in 4H-SiC. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)