Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.tsf.2014.04.012 (literal)

Alternative label

• Lo Nigro, Raffaella; Battiato, Sergio; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Roccaforte, Fabrizio; Malandrino, Graziella (2014)
  Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Lo Nigro, Raffaella; Battiato, Sergio; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Roccaforte, Fabrizio; Malandrino, Graziella (literal)

Pagina inizio

• 50 (literal)

Pagina fine

• 55 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 563 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, Catania, Italy University of Catania, Italy (literal)

Titolo

• Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology (literal)

Abstract

• Epitaxial nickel oxide (NiO) thin films have been grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition on AlGaN/GaN heterostructures. Critical growth parameters have been studied in order to optimize the deposition process of NiO films suitable for applications in GaN-based devices. In particular, a second generation precursor has been used as nickel source, namely the N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine adduct of nickel bis 2-thenoyltrifluoroacetonate, using different deposition temperatures and oxygen flow values. Optimized operative conditions allowed the growth of epitaxial thin films which exhibited a permittivity of 11.7, close to the bulk value. The electrical characterization of the obtained epitaxial films pointed out to promising dielectric properties for AlGaN/GaN transistor technology. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology" (Insieme di parole chiave)