Switching quantum transport in a three donors silicon fin-field effect transistor (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Switching quantum transport in a three donors silicon fin-field effect transistor (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3669702 (literal)

Alternative label

• Guillaume Leti, Enrico Prati, Matteo Belli, Guido Petretto, Marco Fanciulli, Maud Vinet, Romain Wacquez, Marc Sanquer (2011)
  Switching quantum transport in a three donors silicon fin-field effect transistor
  in Applied physics letters; AIP Publishing LLC, Melville, NY 11747 (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Guillaume Leti, Enrico Prati, Matteo Belli, Guido Petretto, Marco Fanciulli, Maud Vinet, Romain Wacquez, Marc Sanquer (literal)

Pagina inizio

• 242102-1 (literal)

Pagina fine

• 242102-4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/99/24/10.1063/1.3669702 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 99 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via Olivetti 2, I-20041 Agrate Brianza, Italy Ecole Nationale Supe´rieure de Physique, Electronique et Mate´riaux, Grenoble Institute of Technology, Grenoble, France Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita` degli Studi Milano-Bicocca, Via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy DRT-LETI-D2NT, 38054 Grenoble, France SPSMS, UMR-E CEA/UJF-Grenoble 1, INAC, 38054 Grenoble, France (literal)

Titolo

• Switching quantum transport in a three donors silicon fin-field effect transistor (literal)

Abstract

• We switch the transport along different paths in a system constituted by a phosphorus donor in a silicon quantum dot in complementary metal-oxide-semiconductor technology, coupled with two donors at the source side. The standard Coulomb blockade pattern created by the transport through the D0 neutral state of an individual donor located in the channel of the device is modified by two additional randomly diffused nearby donors. By varying the control voltages, the fin-field effect transistor acts as a quantum device which may be used to control alternative current paths through different donors. (literal)

Editore

• AIP Publishing LLC (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta (MD.P06.036.001) (Modulo)

Autore CNR

• MATTEO BELLI (Unità di personale esterno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• ENRICO PRATI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Switching quantum transport in a three donors silicon fin-field effect transistor" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta (MD.P06.036.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• MATTEO BELLI (Unità di personale esterno)
• ENRICO PRATI (Persona)

Editore di

• AIP Publishing LLC (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Switching quantum transport in a three donors silicon fin-field effect transistor" (Insieme di parole chiave)