High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.4848471 (literal)
Alternative label
  • S. Bietti, L. Cavigli, N. Accanto, S. Minari, M. Abbarchi, G. Isella, C. FRIGERI, A. Vinattieri, M. Gurioli and S. Sanguinetti (2013)
    High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate
    in 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012, Zurich (CH), 29 July - 03 August 2012
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • S. Bietti, L. Cavigli, N. Accanto, S. Minari, M. Abbarchi, G. Isella, C. FRIGERI, A. Vinattieri, M. Gurioli and S. Sanguinetti (literal)
Pagina inizio
  • 433 (literal)
Pagina fine
  • 434 (literal)
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  • http://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp/10.1063/1.4848471 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume
  • The Physics of Semiconductors: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 1566 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana
  • 1556 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Dipartimento di Scienza dei Materiali and L-NESS, Università di Milano Bicocca, Via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy; Dipartimento di Fisica and L-NESS, Politecnico di Milano, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy; Dipartimento di Fisica e Astronomia, LENS and CNISM, Università di Firenze, Via Sansone 1, I-50019 Firenze, Italy; CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, 43100 Parma, Italy (literal)
Titolo
  • High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
  • 978-0-7354-1194-4 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume
  • Thomas Ihn, Clemens Rössler and Aleksey Kozikov (literal)
Abstract
  • We describe a method for the direct epitaxial growth of a single photon emitter, based on GaAs quantum dots fabricated by droplet epitaxy, working at liquid nitrogen temperature on Si substrates. The achievement of quantum photon statistics up to T=80 K is directly provided by antibunching in the second order correlation function as measured with a Hanbury Brown and Twiss interferometer. (literal)
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