http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID273361
High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate (Contributo in atti di convegno)
- Type
- Label
- High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate (Contributo in atti di convegno) (literal)
- Anno
- 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1063/1.4848471 (literal)
- Alternative label
S. Bietti, L. Cavigli, N. Accanto, S. Minari, M. Abbarchi, G. Isella, C. FRIGERI, A. Vinattieri, M. Gurioli and S. Sanguinetti (2013)
High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate
in 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012, Zurich (CH), 29 July - 03 August 2012
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- S. Bietti, L. Cavigli, N. Accanto, S. Minari, M. Abbarchi, G. Isella, C. FRIGERI, A. Vinattieri, M. Gurioli and S. Sanguinetti (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp/10.1063/1.4848471 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume
- The Physics of Semiconductors: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Dipartimento di Scienza dei Materiali and L-NESS, Università di Milano Bicocca, Via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy; Dipartimento di Fisica and L-NESS, Politecnico di Milano, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy; Dipartimento di Fisica e Astronomia, LENS and CNISM, Università di Firenze, Via Sansone 1, I-50019 Firenze, Italy; CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, 43100 Parma, Italy (literal)
- Titolo
- High Quality GaAs single photon emitters on Si substrate (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
- 978-0-7354-1194-4 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume
- Thomas Ihn, Clemens Rössler and Aleksey Kozikov (literal)
- Abstract
- We describe a method for the direct epitaxial growth of a single photon emitter, based on GaAs quantum dots fabricated by droplet epitaxy, working at liquid nitrogen temperature on Si substrates. The achievement of quantum photon statistics up to T=80 K is directly provided by antibunching in the second order correlation function as measured with a Hanbury Brown and Twiss interferometer. (literal)
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