Light absorption and conversion in solar cell based on Si:O alloy (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Light absorption and conversion in solar cell based on Si:O alloy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4817247 (literal)

Alternative label

• Scapellato GG, Rubino M, Crupi I, Di Marco S, Simone F, Mirabella S (2013)
  Light absorption and conversion in solar cell based on Si:O alloy
  in Journal of applied physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Scapellato GG, Rubino M, Crupi I, Di Marco S, Simone F, Mirabella S (literal)

Pagina inizio

• 053507 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 114 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] MATIS IMM CNR, I-95123 Catania, Italy [ 2 ] STMicroelectronics, IMS R&D, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Light absorption and conversion in solar cell based on Si:O alloy (literal)

Abstract

• Thin film Si:O alloys have been grown by plasma enhanced chemical vapor deposition, as intrinsic or highly doped (1 to 5 at. % of B or P dopant) layers. UV-visible/near-infrared spectroscopy revealed a great dependence of the absorption coefficient and of the optical gap (E-g) on the dopant type and concentration, as E-g decreases from 2.1 to 1.9 eV, for the intrinsic or highly p-doped sample, respectively. Thermal annealing up to 400 degrees C induces a huge H out-diffusion which causes a dramatic absorption increase and a reduction of E-g, down to less than 1.8 eV. A prototypal solar cell has been fabricated using a 400 nm thick, p-i-n structure made of Si:O alloy embedded within flat transparent conductive oxides. Preliminary electrical analyses show a photovoltaic (PV) effect with an open circuit voltage of 0.75 V and a spectral conversion efficiency blue-shifted in comparison to a-Si:H based cell, as expected since the higher E-g in Si:O alloy. These data are presented and discussed, suggesting Si:O alloy as promising material for PV device fabrication. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)

Autore CNR

• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• Giorgia Graziella Scapellato (Unità di personale esterno)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• Giorgia Graziella Scapellato (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)