Kinetically driven selective growth of InAs quantum dots on GaAs (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Kinetically driven selective growth of InAs quantum dots on GaAs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1557/jmr.2013.340 (literal)

Alternative label

• Arciprete,Fabrizio and Placidi,Ernesto and Magri,Rita and Del Gaudio,Davide and Patella,Fulvia (2013)
  Kinetically driven selective growth of InAs quantum dots on GaAs
  in Journal of materials research (Online); Cambridge University Press, Cambridge (Regno Unito)
  (literal)

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• Arciprete,Fabrizio and Placidi,Ernesto and Magri,Rita and Del Gaudio,Davide and Patella,Fulvia (literal)

Pagina inizio

• 3201 (literal)

Pagina fine

• 3209 (literal)

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• Invited Feature Paper (literal)

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• http://journals.cambridge.org/article_S0884291413003403 (literal)

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• Kinetically driven selective growth of InAs quantum dots on GaAs (literal)

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• 28 (literal)

Rivista

• Journal of materials research (Rivista)

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• 9 (literal)

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• 23 (literal)

Note

• Google Scholar (literal)
• Scopus (literal)

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• a1 Dipartimento di Fisica, Università di Roma \"Tor Vergata,\" Via della Ricerca Scientifica 1, I-00133 Roma, Italy a2 Dipartimento di Fisica, Università di Roma \"Tor Vergata,\" Via della Ricerca Scientifica 1, I-00133 Roma, Italy; and Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto di Struttura della materia, Via Fosso del Cavaliere 100, I-00133 Roma, Italy a3 Dipartimento di Fisica, Università di Modena e Reggio Emilia, and Centro S3 CNR-Istituto, Nanoscienze, Via Campi 213/A, 4100 Modena, Italy a4 Dipartimento di Fisica, Università di Roma \"Tor Vergata,\" Via della Ricerca Scientifica 1, I-00133 Roma, Italy (literal)

Titolo

• Kinetically driven selective growth of InAs quantum dots on GaAs (literal)

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• eng (literal)

Abstract

• ABSTRACT We show that, by changing and tuning the direction of the As flux on a rippled substrate, at temperatures higher than 530 °C and high As/In flux ratio, a selective growth of InAs dots can be obtained on GaAs. This is an undisclosed effect related to the Arsenic flux in the molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots (QDs) on GaAs(001). This effect cannot be explained by a shadowing effect, due to the gentle slopes of the mounds (1-3°), and reveals instead that As plays a fundamental role at these growth conditions. We have developed a kinetic model, which takes into account the coupling between cations and anions, and found that the very small surface gradient in the anion flux, due to the oblique evaporation on the mounded surface, is responsible for a massive drain of cations toward the surface anion-rich areas, thus generating the selective growth of QDs. (literal)

Editore

• Cambridge University Press (Editore)

Prodotto di

• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)

Autore CNR

• RITA MAGRI (Persona)
• ERNESTO PLACIDI (Unità di personale interno)

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Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)

Autore CNR di

• RITA MAGRI (Persona)
• ERNESTO PLACIDI (Unità di personale interno)

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• Journal of materials research (Rivista)

Editore di

• Cambridge University Press (Editore)