Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1149/05009.0783ecst (literal)

Alternative label

• S. Bietti, S. Cecchi, C. Frigeri, E. Grilli, A. Fedorov, A.Vinattieri, M. Gurioli, G. Isella, S. Sanguinetti (2012)
  Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si
  in ECS transactions (Online); The Electrochemical Society, Pennington, New Jersey 08534-2839, (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• S. Bietti, S. Cecchi, C. Frigeri, E. Grilli, A. Fedorov, A.Vinattieri, M. Gurioli, G. Isella, S. Sanguinetti (literal)

Pagina inizio

• 783 (literal)

Pagina fine

• 789 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 50 (literal)

Rivista

• ECS transactions (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 9 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali, Università di Milano Bicocca, Via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy L-NESS and Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, 43100 Parma, Italy LNESS and IFN-CNR, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy Dipartimento di Fisica e Astronomia, LENS and CNISM, Università di Firenze, Via Sansone 1, I-50019 Firenze, Italy (literal)

Titolo

• Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si (literal)

Abstract

• Ge-on-Si substrates, made by a thin Ge relaxed layer with a low threading dislocation density and reduced surface roughness deposited on Si, are capable of accommodating the mismatch between GaAs and Si substrate and can be used for the growth of high quality AlGaAs/GaAs layers and of GaAs nanostructures by droplet epitaxy, while maintaining a low thermal budget compatible with the integration of CMOS devices. (literal)

Editore

• The Electrochemical Society (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ALEXEY FEDOROV (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CESARE FRIGERI (Persona)
• ALEXEY FEDOROV (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• ECS transactions (Rivista)

Editore di

• The Electrochemical Society (Editore)