Asymmetric MSM sub-bandgap all-silicon photodetector with low dark current (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Asymmetric MSM sub-bandgap all-silicon photodetector with low dark current (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1364/OE.21.028072 (literal)

Alternative label

• M. Casalino, M. Iodice, L. Sirleto, I. Rendina, and G. Coppola (2013)
  Asymmetric MSM sub-bandgap all-silicon photodetector with low dark current
  in Optics express
  (literal)

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• M. Casalino, M. Iodice, L. Sirleto, I. Rendina, and G. Coppola (literal)

Pagina inizio

• 28072 (literal)

Pagina fine

• 28082 (literal)

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• http://www.opticsinfobase.org/oe/abstract.cfm?URI=oe-21-23-28072 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 21 (literal)

Rivista

• Optics express (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 11 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 23 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM) - Consiglio Nazionale delle Ricerche - Sez. Napoli, Italy (literal)

Titolo

• Asymmetric MSM sub-bandgap all-silicon photodetector with low dark current (literal)

Abstract

• Design, fabrication, and characterization of an asymmetric metal-semiconductor-metal photodetector, based on internal photoemission effect and integrated into a silicon-on-insulator waveguide, are reported. For this photodetector, a responsivity of 4.5 mA/W has been measured at 1550 nm, making it suitable for power monitoring applications. Because the absorbing metal is deposited strictly around the vertical output facet of the waveguide, a very small contact area of about 3 µm2 is obtained and a transit-time-limited bandwidth of about 1 GHz is demonstrated. Taking advantage of this small area and electrode asymmetry, a significant reduction in the dark current (2.2 nA at -21 V) is achieved. Interestingly, applying reverse voltage, the photodetector is able to tune its cut-off wavelength, extending its range of application into the MID infrared regime. (literal)

Prodotto di

• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MAURIZIO CASALINO (Persona)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)
• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• LUIGI SIRLETO (Persona)
• MARIO IODICE (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MARIO IODICE (Unità di personale interno)
• MAURIZIO CASALINO (Persona)
• LUIGI SIRLETO (Persona)
• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)

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• Optics express (Rivista)