Fabrication and characterization of a silicon photodetector at 1.55 micron (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Fabrication and characterization of a silicon photodetector at 1.55 micron (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1007/978-90-481-3606-3_19 (literal)
Alternative label
  • Casalino, M. Sirleto, L. Gioffre, M. Coppola, G. Iodice, M. Rendina, I. Moretti, L. (2010)
    Fabrication and characterization of a silicon photodetector at 1.55 micron
    in Lecture notes in electrical engineering (Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Casalino, M. Sirleto, L. Gioffre, M. Coppola, G. Iodice, M. Rendina, I. Moretti, L. (literal)
Pagina inizio
  • 113 (literal)
Pagina fine
  • 116 (literal)
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  • http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-78651523578&partnerID=40&md5=d471c7c43c1796071f436375e44cae26 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 54 LNEE (literal)
Rivista
Note
  • Scopu (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Consiglio Nazionale Delle Ricerche - IMM Sez. Napoli, Via P. Castellino n. 111, Napoli, Italy; Seconda Università degli Studi di Napoli, Via Vivaldi n. 43, 81100 Caserta, Italy (literal)
Titolo
  • Fabrication and characterization of a silicon photodetector at 1.55 micron (literal)
Abstract
  • In this paper the realization and the characterization of a new kind of resonant cavity enhanced photodetector (RCE), fully compatible with silicon microelectronic technologies and working at 1.55 ?m, are reported. © 2010 Springer Science+Business Media B.V. (literal)
Prodotto di
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