Comprehensive numerical simulation of threshold-voltage transients in nitride memories (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Comprehensive numerical simulation of threshold-voltage transients in nitride memories (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Mauri, S.M. Amoroso, C. Monzio Compagnoni, A. Maconi, A. Sottocornola Spinelli (2011)
  Comprehensive numerical simulation of threshold-voltage transients in nitride memories
  in Solid-state electronics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mauri, S.M. Amoroso, C. Monzio Compagnoni, A. Maconi, A. Sottocornola Spinelli (literal)

Pagina inizio

• 23 (literal)

Pagina fine

• 30 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 56 (literal)

Rivista

• Solid-state electronics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Comprehensive numerical simulation of threshold-voltage transients in nitride memories (literal)

Prodotto di

• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTO OSELLAME (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ROBERTO OSELLAME (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Solid-state electronics (Rivista)