Three-dimensional simulation of charge-trap memory programming - Part I: average behavior (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Three-dimensional simulation of charge-trap memory programming - Part I: average behavior (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• S.M. Amoroso, A. Maconi, A. Mauri, C. Monzio Compagnoni, A. Sottocornola Spinelli, A.L. Lacaita (2011)
  Three-dimensional simulation of charge-trap memory programming - Part I: average behavior
  in I.E.E.E. transactions on electron devices
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• S.M. Amoroso, A. Maconi, A. Mauri, C. Monzio Compagnoni, A. Sottocornola Spinelli, A.L. Lacaita (literal)

Pagina inizio

• 1864 (literal)

Pagina fine

• 1871 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 58 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Three-dimensional simulation of charge-trap memory programming - Part I: average behavior (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTO OSELLAME (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ROBERTO OSELLAME (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)