Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0921-5107(01)00960-6 (literal)
Alternative label
  • Righini, M. and Fernández-Alonso, F. and Schiumarini, D. and Selci, S. and Tomassini, N. (2002)
    Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces
    in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Righini, M. and Fernández-Alonso, F. and Schiumarini, D. and Selci, S. and Tomassini, N. (literal)
Pagina inizio
  • 33 (literal)
Pagina fine
  • 37 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
  • http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510701009606 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 91-92 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 0 (literal)
Note
  • Science direct - Elsevier (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Istituto dei Sistemi Complessi (literal)
Titolo
  • Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces (literal)
Abstract
  • We have performed reflectivity and photoluminescence measurements on a set of InxGa1-xAs | InyGa1-yAs | GaAs(001) stepped/asymmetric quantum wells with an intentionally abrupt change of indium composition (x=0.149 (literal)
Prodotto di
Autore CNR
Insieme di parole chiave

Incoming links:


Autore CNR di
Prodotto
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
Insieme di parole chiave di
data.CNR.it