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Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/S0921-5107(01)00960-6 (literal)
- Alternative label
Righini, M. and Fernández-Alonso, F. and Schiumarini, D. and Selci, S. and Tomassini, N. (2002)
Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces
in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Righini, M. and Fernández-Alonso, F. and Schiumarini, D. and Selci, S. and Tomassini, N. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510701009606 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
- Note
- Science direct - Elsevier (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Istituto dei Sistemi Complessi (literal)
- Titolo
- Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces (literal)
- Abstract
- We have performed reflectivity and photoluminescence measurements on a set of InxGa1-xAs | InyGa1-yAs | GaAs(001) stepped/asymmetric quantum wells with an intentionally abrupt change of indium composition (x=0.149 (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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