Impact of neutral threshold-voltage spread and electron-emission statistics on data retention of nanoscale NAND Flash (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Impact of neutral threshold-voltage spread and electron-emission statistics on data retention of nanoscale NAND Flash (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• C. Miccoli, C. Monzio Compagnoni, S. M. Amoroso, A. Spessot, P. Fantini, A. Visconti, A. Sottocornola Spinelli (2010)
  Impact of neutral threshold-voltage spread and electron-emission statistics on data retention of nanoscale NAND Flash
  in IEEE electron device letters (Print)
  (literal)

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• C. Miccoli, C. Monzio Compagnoni, S. M. Amoroso, A. Spessot, P. Fantini, A. Visconti, A. Sottocornola Spinelli (literal)

Pagina inizio

• 1202 (literal)

Pagina fine

• 1204 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 31 (literal)

Rivista

• IEEE electron device letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Impact of neutral threshold-voltage spread and electron-emission statistics on data retention of nanoscale NAND Flash (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTO OSELLAME (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ROBERTO OSELLAME (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• IEEE electron device letters (Rivista)