Reliability impact of chalcogenide-structure relaxation in phase change memory (PCM) cells – Part II: Physics-based modeling (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Reliability impact of chalcogenide-structure relaxation in phase change memory (PCM) cells – Part II: Physics-based modeling (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• S. Lavizzari, D. Ielmini, D. Sharma and A. L. Lacaita (2009)
  Reliability impact of chalcogenide-structure relaxation in phase change memory (PCM) cells – Part II: Physics-based modeling
  in I.E.E.E. transactions on electron devices
  (literal)

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• S. Lavizzari, D. Ielmini, D. Sharma and A. L. Lacaita (literal)

Pagina inizio

• 1078 (literal)

Pagina fine

• 1085 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 56 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Reliability impact of chalcogenide-structure relaxation in phase change memory (PCM) cells – Part II: Physics-based modeling (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANDREA L LACAITA (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ANDREA L LACAITA (Unità di personale esterno)

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• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)