Synthesis, structure and optical properties of GaN nanocrystals prepared by sequential ion implantation in dielectrics (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Synthesis, structure and optical properties of GaN nanocrystals prepared by sequential ion implantation in dielectrics (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/S0921-5107(00)00750-9 (literal)

Alternative label

• Borsella, E (Borsella, E); Toe, SD (Toe, SD); Mattei, G (Mattei, G); Maurizio, C (Maurizio, C); Mazzoldi, P (Mazzoldi, P); Saber, A (Saber, A); Battaglin, GC (Battaglin, GC); Cattaruzza, E (Cattaruzza, E); Gonella, F (Gonella, F); Quaranta, A (Quaranta, A); D'Acapito, F (D'Acapito, F) (2001)
  Synthesis, structure and optical properties of GaN nanocrystals prepared by sequential ion implantation in dielectrics
  in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
  (literal)

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• Borsella, E (Borsella, E); Toe, SD (Toe, SD); Mattei, G (Mattei, G); Maurizio, C (Maurizio, C); Mazzoldi, P (Mazzoldi, P); Saber, A (Saber, A); Battaglin, GC (Battaglin, GC); Cattaruzza, E (Cattaruzza, E); Gonella, F (Gonella, F); Quaranta, A (Quaranta, A); D'Acapito, F (D'Acapito, F) (literal)

Pagina inizio

• 148 (literal)

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• 82 (literal)

Rivista

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

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• cnr , infm (literal)

Titolo

• Synthesis, structure and optical properties of GaN nanocrystals prepared by sequential ion implantation in dielectrics (literal)

Abstract

• GaN nanocrystals (in the wurtzite phase) were synthesized by sequential implantation of Ga and N ions, either crystalline or amorphous dielectrics, followed by annealing of the samples in flowing NH3 gas at 900 degreesC. A blue shift of the near band-edge photoluminescence (quantum confinement effect) is observed for GaN nanocrystals with a size of similar to2-3 nm, formed in the alpha -Al2O3 substrate. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)

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Autore CNR di

• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)

Prodotto

• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)