Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/TED.2005.864365 (literal)

Alternative label

• P. Gaucci; A. Valletta; L. Mariucci; G. Fortunato; S. D. Brotherton; (2006)
  Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs
  in I.E.E.E. transactions on electron devices; IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc., Piscataway (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• P. Gaucci; A. Valletta; L. Mariucci; G. Fortunato; S. D. Brotherton; (literal)

Pagina inizio

• 573 (literal)

Pagina fine

• 577 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=1597540 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 53 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IFN-CNR, Roma TFT Consultant, Forest Row RH18 5HB, U.K. (literal)

Titolo

• Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs (literal)

Abstract

• Parasitic resistance effects have been investigated in n-channel polycrystalline (polysilicon) silicon thin film transistors (TFTs). We show, both experimentally, and by using two-dimensional numerical simulations, that the transfer characteristics and, in particular, the transconductance are degraded by parasitic resistance effects, which are related to residual implant damage. In particular, we show that residual implant damage gives rise to two types of defected regions across the edges of the gate: the first, not overlapped by the gate, which mainly controls the parasitic resistance. The second, which is gate overlapped, can affect the behavior of the threshold voltage by modifying the classical short channel effect to the reverse short channel effect. The analysis demonstrates that for the fabrication of short-channel polysilicon TFTs an exact control of the implant-damaged regions is necessary. (literal)

Editore

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

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• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Editore di

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs" (Insieme di parole chiave)