Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1143/JJAP.45.4374 (literal)

Alternative label

• A. Valletta; P. Gaucci; L. Mariucci; G. Fortunato; (2006)
  Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors
  in Japanese journal of applied physics (Online); Japan Society of Applied Physics, Tokyo (Giappone)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Valletta; P. Gaucci; L. Mariucci; G. Fortunato; (literal)

Pagina inizio

• 4374 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/45/4374/ (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 45 (literal)

Rivista

• Japanese journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 5B (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, Italy (literal)

Titolo

• Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors (literal)

Abstract

• By using full-two dimensional (2D) numerical simulations, it is found that, similarly to crystalline silicon, velocity saturation effects occur also in polysilicon thin-film transistors (TFTs). Therefore, precise modelling of output characteristics in short channel polysilicon TFTs should take into account velocity saturation effects, which influence the saturation current. Since full-2D numerical simulations are time consuming and unpractical for circuit simulations, we introduced velocity saturation in the gradual channel approximation (GCA), but still we found a non satisfactory agreement with experimental results, especially for short channel devices. We attributed this behaviour to the presence of a strong longitudinal electric field, that is neglected in GCA, when velocity saturation occurs. So we have developed a new quasi-2D model, that takes in account both carrier velocity saturation and the effects of the longitudinal field, which nicely reproduce the experimental data. (literal)

Editore

• Japan Society of Applied Physics (Editore)

Prodotto di

• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Japanese journal of applied physics (Rivista)

Editore di

• Japan Society of Applied Physics (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors" (Insieme di parole chiave)