Effects of Fabrication Parameters on the Electrical Stability of Gate Overlapped LDD Polysilicon TFTs (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Effects of Fabrication Parameters on the Electrical Stability of Gate Overlapped LDD Polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• A. Bonfiglietti, A. Valletta, M. Rapisarda, L. Mariucci, G. Fortunato (2006)
  Effects of Fabrication Parameters on the Electrical Stability of Gate Overlapped LDD Polysilicon TFTs
  in Japanese journal of applied physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Bonfiglietti, A. Valletta, M. Rapisarda, L. Mariucci, G. Fortunato (literal)

Pagina inizio

• 4384 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 45 (literal)

Rivista

• Japanese journal of applied physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Effects of Fabrication Parameters on the Electrical Stability of Gate Overlapped LDD Polysilicon TFTs (literal)

Prodotto di

• Metodologie avanzate con raggi X e loro applicazioni (MD.P03.012.002) (Modulo)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Metodologie avanzate con raggi X e loro applicazioni (MD.P03.012.002) (Modulo)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Japanese journal of applied physics (Rivista)