Optimization of the nonoverlap length in decanano MOS devices with 2-D QM simulations (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Optimization of the nonoverlap length in decanano MOS devices with 2-D QM simulations (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• R. Gusmeroli, A. S. Spinelli, A. Pirovano, A. L. Lacaita, F. Boeuf and T. Skotnicki (2004)
  Optimization of the nonoverlap length in decanano MOS devices with 2-D QM simulations
  in I.E.E.E. transactions on electron devices
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Gusmeroli, A. S. Spinelli, A. Pirovano, A. L. Lacaita, F. Boeuf and T. Skotnicki (literal)

Pagina inizio

• 1849 (literal)

Pagina fine

• 1855 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 51 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Optimization of the nonoverlap length in decanano MOS devices with 2-D QM simulations (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• ANDREA L LACAITA (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR di

• ANDREA L LACAITA (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)