Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.71.245311 (literal)

Alternative label

• G. Scappucci 1; L. Di Gaspare 1; F. Evangelisti 1; E. Giovine 2; A. Notargiacomo 2; R. Leoni 2; V. Piazza 3; P. Pingue 3; F. Beltram 3 (2005)
  Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online); American Physical Society (APS), College Pk (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• G. Scappucci 1; L. Di Gaspare 1; F. Evangelisti 1; E. Giovine 2; A. Notargiacomo 2; R. Leoni 2; V. Piazza 3; P. Pingue 3; F. Beltram 3 (literal)

Pagina inizio

• 245311 (literal)

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• Web of Science Category: Physics, Condensed Matter (literal)

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• 71 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

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• 8 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 24 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. Dipartimento di Fisica \"E. Amaldi,\" Università di Roma TRE, Via Vasca Navale 84, 00146 Roma, Italy 2. Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, Italy 3. NEST-INFM and Scuola Normale Superiore, Via della Faggiola 19, 56126 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities (literal)

Abstract

• Low field magnetotransport revealing signatures of ballistic transport effects in strained Si/SiGe cavities is investigated. We fabricated strained Si/SiGe cavities by confining a high mobility Si/SiGe two-dimensional electron gas in a bended nanowire geometry defined by electron-beam lithography and reactive ion etching. The main features observed in the low temperature magnetoresistance curves are the presence of a zero-field magnetoresistance peak and of an oscillatory structure at low fields. By adopting a simple geometrical model we explain the oscillatory structure in terms of electron magnetic focusing. A detailed examination of the zero-field peak line shape clearly shows deviations from the predictions of ballistic weak localization theory. (literal)

Editore

• American Physical Society (APS) (Editore)

Prodotto di

• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• ENNIO GIOVINE (Persona)
• ROBERTO LEONI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ENNIO GIOVINE (Persona)
• ROBERTO LEONI (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Editore di

• American Physical Society (APS) (Editore)

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