Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1557/jmr.2012.207 (literal)

Alternative label

• Nipoti R; Scaburri R; Hallen A; Parisini A (2013)
  Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC
  in Journal of materials research; CAMBRIDGE UNIV PRESS, 32 AVENUES OF THE AMERICAS, NEW YORK, NY 10013-2473 (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Nipoti R; Scaburri R; Hallen A; Parisini A (literal)

Pagina inizio

• 17 (literal)

Pagina fine

• 22 (literal)

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• http://journals.cambridge.org/action/displayAbstract?fromPage=online&aid=8817337 (literal)

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• 28 (literal)

Rivista

• Journal of materials research (Rivista)

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• 6 (literal)

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• 1 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR IMM Bologna; CNR IMM Bologna; KTH Royal Inst Technol; Univ Parma (literal)

Titolo

• Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC (literal)

Abstract

• The p-type doping of high purity semi-insulating 4H polytype silicon carbide (HPSI 4H-SiC) by aluminum ion (Al+) implantation has been studied in the range of 1 x 10(19) to 8 x 10(20)/cm(3) (0.39 mu m implanted thickness) and a conventional thermal annealing of 1950 degrees C/5 min. Implanted 4H-SiC layers of p-type conductivity and sheet resistance in the range of 1.6 x 10(4) to 8.9 x 10(2) Omega(square), corresponding to a resistivity in the range of 4.7 x 10(-1) to 2.7 x 10(-2) Omega cm have been obtained. Hall carrier density and mobility data in the temperature range of 140-720 K feature the transition from a valence band to an intraband conduction for increasing implanted Al ion concentration from 1 x 10(19)/cm(3) to 4 x 10(20)/cm(3). A 73% electrical activation, 31% compensation and 146 meV ionization level have been obtained using a best-fit solution of the neutrality equation to Hall carrier data for the lowest concentration. (literal)

Editore

• CAMBRIDGE UNIV PRESS (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)

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• Journal of materials research (Rivista)

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• CAMBRIDGE UNIV PRESS (Editore)

Insieme di parole chiave di

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