The influence of an ultrathin pseudomorphic interface control layer of Si on the growth of SrF2 on GaAs (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• The influence of an ultrathin pseudomorphic interface control layer of Si on the growth of SrF2 on GaAs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 1996-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Heun, S (Heun, S); Sugiyama, M (Sugiyama, M); Maeyama, S (Maeyama, S); Watanabe, Y (Watanabe, Y); Wada, K (Wada, K); Oshima, M (Oshima, M) (1996)
  The influence of an ultrathin pseudomorphic interface control layer of Si on the growth of SrF2 on GaAs
  in Materials science forum
  (literal)

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• Heun, S (Heun, S); Sugiyama, M (Sugiyama, M); Maeyama, S (Maeyama, S); Watanabe, Y (Watanabe, Y); Wada, K (Wada, K); Oshima, M (Oshima, M) (literal)

Pagina inizio

• 129 (literal)

Pagina fine

• 133 (literal)

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• 203 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,INTERDISCIPLINARY RES LABS,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN. (literal)

Titolo

• The influence of an ultrathin pseudomorphic interface control layer of Si on the growth of SrF2 on GaAs (literal)

Abstract

• We deposited Si on GaAs (100) and (111) at 450 degrees C to 550 degrees C. On GaAs(100)-(2 x 4) and -(4 x 2) the Si grows in bilayer mode with single domain (1 x 2) and (2 x 1) reconstructions, respectively. The films are pseudomorphic up to a critical thickness of 10ML. SrF2, deposited on Si/GaAs(100) at 550 degrees C, grows with a rough surface due to (111) facets. On GaAs(111) A and B the Si grows epitaxially without any superstructure. The films are pseudomorphic up to a critical thickness of 5ML. It is remarkable that SrF2 deposited at 550 degrees C on Si/GaAs(lll)grows in A-type with a high epitaxial duality, whereas SrF2 on bulk Si grows in B-type. (literal)

Prodotto di

• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

Autore CNR

• STEFAN HEUN (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "The influence of an ultrathin pseudomorphic interface control layer of Si on the growth of SrF2 on GaAs" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• STEFAN HEUN (Unità di personale interno)

Prodotto

• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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