Nonlinear absorption and gain in InGaAs/GaAs quantum wells (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Nonlinear absorption and gain in InGaAs/GaAs quantum wells (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 1997-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Coli, G.a , Passaseo, A.a, Greco, D.a, Cingolani, R.a, Tagliaferri, M.b, Di Trapani, P.b, Andreoni, A.b (1997)
    Nonlinear absorption and gain in InGaAs/GaAs quantum wells
    in Applied physics letters
    (literal)
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  • Coli, G.a , Passaseo, A.a, Greco, D.a, Cingolani, R.a, Tagliaferri, M.b, Di Trapani, P.b, Andreoni, A.b (literal)
Pagina inizio
  • 915 (literal)
Pagina fine
  • 917 (literal)
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  • 71 (literal)
Rivista
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  • 7 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
  • Scopus (literal)
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  • Dipto. di Scienza dei Materiali, Università di Lecce, 73100 Lecce, Italy b Ist. Sci. Matematiche, Fisiche C., Università di Milano, 22100 Como, Italy (literal)
Titolo
  • Nonlinear absorption and gain in InGaAs/GaAs quantum wells (literal)
Abstract
  • We present a detailed study of the excitonic nonlinearities in InGaAs/GaAs multiple quantum wells based on both stationary and transient pump-and-probe transmission spectroscopy. Bleaching of the excitonic resonance and free carrier gain have been observed. A quantitative analysis of the observed nonlinearity is provided by means of a rigorous solution of the Bethe-Salpeter equation for the investigated heterostructures. (literal)
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