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Atomic equilibrium concentrations in (InGa)As quantum dots (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Atomic equilibrium concentrations in (InGa)As quantum dots (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
Galluppi, M.a, Frova, A.a, Capizzi, M.a , Boscherini, F.b, Frigeri, P.c, Franchi, S.c, Passaseo, A.d (2001)
Atomic equilibrium concentrations in (InGa)As quantum dots
in Applied physics letters
(literal)
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- Galluppi, M.a, Frova, A.a, Capizzi, M.a , Boscherini, F.b, Frigeri, P.c, Franchi, S.c, Passaseo, A.d (literal)
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- Pagina fine
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- Rivista
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Scopus (literal)
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- INFM, Dipartimento di Fisica, Universita' di Roma La Sapienza, Piazzale A. Moro 2, I-00185 Rome, Italy
b INFM, Dipartimento di Fisica, Universita' di Bologna, Viale C. Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, Italy
c CNR-MASPEC, Parco delle Scienze 37a, I-43010 Fontanini, Parma, Italy
d INFM, Dipto. Ingegneria dell'Innovazione, Universita' di Lecce, Via Per Arnesano, 73100 Lecce, Italy (literal)
- Titolo
- Atomic equilibrium concentrations in (InGa)As quantum dots (literal)
- Abstract
- In InxGa1-xAs quantum dots (QDs), the plot of peak emission energies versus the total amount of indium exhibits a well defined pattern, which is independent of the indium concentration. Moreover, photoluminescence spectra of InAs QDs grown by atomic layer molecular beam epitaxy (ALMBE) roughly coincide with those of In\"Ga0.5As QDs grown by metalorganic vapor phase deposition. We suggest that the total amount of In rather than the nominal In concentration determines the emission energy of these two sets of QDs, and that In interdiffusion is rather strong in ALMBE growth. (literal)
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