Optical Properties of Silicon Nanodots in SiC Matrix (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Optical Properties of Silicon Nanodots in SiC Matrix (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4229/25thEUPVSEC2010-1DV.3.49 (literal)

Alternative label

• C. Summonte, A. Desalvo, M. Canino, M. Allegrezza, M. Rosa, M. Ferri, E. Centurioni, A. Terrasi, S. Mirabella (2010)
  Optical Properties of Silicon Nanodots in SiC Matrix
  in 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Valencia, Spain, 6-10 September 2010
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• C. Summonte, A. Desalvo, M. Canino, M. Allegrezza, M. Rosa, M. Ferri, E. Centurioni, A. Terrasi, S. Mirabella (literal)

Pagina inizio

• 662 (literal)

Pagina fine

• 666 (literal)

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• http://www.eupvsec-proceedings.com/proceedings?advanced[title]=&advanced[date]=&advanced[author]=mirabella&advanced[keyword]=&paper=7278 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM (literal)

Titolo

• Optical Properties of Silicon Nanodots in SiC Matrix (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 3-936338-26-4 (literal)

Abstract

• We present our results on plasma deposited Si-SiC. The optical properties of the silicon rich SiC matrix as a function of stoichiometry are reported. The results are then used as starting values for the simulation of the annealed material. The optical simulation correctly predicts the initial silicon nanoparticles precipitation upon low temperature annealing. For higher annealing temperatures of 900°C and higher, we observe separate crystallization of the Si and SiC phases. The phase composition is determined by making use of optical simulation. The crystallized Si results to be well simulated using the optical function of unstructured c-Si. The excess absorption of the crystallized SiC matrix is evidenced and determined. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• MARCO ALLEGREZZA (Persona)
• CATERINA SUMMONTE (Persona)
• MARIACONCETTA CANINO (Unità di personale interno)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• CATERINA SUMMONTE (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
• MARCO ALLEGREZZA (Persona)
• MARIACONCETTA CANINO (Unità di personale interno)