Improvement of the diffusive component of dark current in SiPM pixels (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Improvement of the diffusive component of dark current in SiPM pixels (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• R. Pagano, S. Libertino, D. Corso, S. Lombardo, G. Valvo, D. Sanfilippo, G. Condorelli, M. Mazzillo, A.Piana, B. Carbone, G. Fallica (2012)
  Improvement of the diffusive component of dark current in SiPM pixels
  in The Third International Conference on Sensor Device Technologies and Applications, SENSORDEVICES 2012, Roma, Italia, August 19 - 24, 2012
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Pagano, S. Libertino, D. Corso, S. Lombardo, G. Valvo, D. Sanfilippo, G. Condorelli, M. Mazzillo, A.Piana, B. Carbone, G. Fallica (literal)

Pagina inizio

• 38 (literal)

Pagina fine

• 41 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• The Third International Conference on Sensor Device Technologies and Applications, SENSORDEVICES 2012 (literal)

Rivista

• Proceedings of IEEE Sensors ... (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Istituto per la Microelettronica e Microsistemi CNR, VIII Strada Z.I. 5, 95121, Catania, Italy; IMS-R&D, STMicroelectronics, Stradale Primosole, 50 95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Improvement of the diffusive component of dark current in SiPM pixels (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-1-61208-208-0 (literal)

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• AA.VV. (literal)

Abstract

• The temperature behavior of dark current in SiPM pixels was studied for two fabrication technologies differing in the anode contact. The first (old) technology had the contact on the front while the second (new) has the anode contact on the back. The layout changes allowed us to obtain a strong reduction of the dark current diffusive component thus strongly improving the device performances (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Autore CNR

• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• DOMENICO CORSO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Improvement of the diffusive component of dark current in SiPM pixels" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)
• DOMENICO CORSO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Proceedings of IEEE Sensors ... (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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