Optimized Silicon Photomultipliers with optical trenches (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Optimized Silicon Photomultipliers with optical trenches (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/ESSDERC.2011.6044204 (literal)

Alternative label

• R. Pagano, D. Corso, S. Lombardo, S. Libertino, G. Valvo, D. Sanfilippo, A. Russo, P.G. Fallica, A. Pappalardo, P. Finocchiaro (2011)
  Optimized Silicon Photomultipliers with optical trenches
  in European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) 2011
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Pagano, D. Corso, S. Lombardo, S. Libertino, G. Valvo, D. Sanfilippo, A. Russo, P.G. Fallica, A. Pappalardo, P. Finocchiaro (literal)

Pagina inizio

• 183 (literal)

Pagina fine

• 186 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2011 (literal)

Rivista

• Proceedings of the European Solid State Device Research Conference (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, Strada VIII Z.I., 5, Catania, Italy; IMS R&D STMicroelectronics, Stradale Primosole, 50, Catania, Italy INFN Laboratori Nazionali del Sud, Via S. Sofia 62, Catania, Italy (literal)

Titolo

• Optimized Silicon Photomultipliers with optical trenches (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-1-4577-0705-6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume

• AA.VV. (literal)

Abstract

• This paper reports on the electrical characteristics of silicon photomultipliers (SiPM) with optimized optical trench technology. The SiPM arrays were characterized from single pixels up to the full 64×64 pixel device. The data clearly show a perfect scaling of the dark current with the pixel number, thus indicating an almost ideal insulation among the pixels in the whole voltage operating range. (literal)

Prodotto di

• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• DOMENICO CORSO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR di

• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)
• DOMENICO CORSO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Proceedings of the European Solid State Device Research Conference (Rivista)