Chemical vapor deposition of ZrO2 thin films from zirconium precursors containing N-ligands (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Chemical vapor deposition of ZrO2 thin films from zirconium precursors containing N-ligands (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 1995-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Bastianini A.; Battiston G.A.; Gerbasi R. ; Filippino L. ; Porchia M. ; Rizzo L. (1995)
  Chemical vapor deposition of ZrO2 thin films from zirconium precursors containing N-ligands
  in Syntheses and Methodologies in Inorganic Chemistry, New Compounds and Materials, Bressanone, 2-7 ottobre 1994
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bastianini A.; Battiston G.A.; Gerbasi R. ; Filippino L. ; Porchia M. ; Rizzo L. (literal)

Pagina inizio

• 503 (literal)

Pagina fine

• 508 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Syntheses and Methodologies in Inorganic Chemistry, New Compounds and Materials (literal)

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• 5 (literal)

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• 6 (literal)

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• Istituto di Chimica e Tecnologie Inorganiche e dei Materiali Avanzati CNR Area della Ricerca, Corso Stati Uniti 4 - 35127 Padova (literal)

Titolo

• Chemical vapor deposition of ZrO2 thin films from zirconium precursors containing N-ligands (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• S. Daolio; E. Tondello; P.A. Vigato (literal)

Abstract

• Excellent quality ZrO2 thin films were deposited on alumina and glass substrates by chemical vapor deposition in a hot wall reactor at reduced pressure using tetrakis(diethylamido)zirconium [Zr(NEt2)4] as precursor. The depositions carried out at 550°C and 1.5Torr in the presence of oxygen (O2 flow rate 20sccm, N2 carrier gas 150sccm, dilute N2 gas 30sccm) led to a growth rate of 4mm/h. As-grown, the films are colourless, smooth and well-adherent to the substrate. SIMS analysis evidenced pure ZrO2 with a slight superficial carbon contamination. The films have a tapered polycrystalline columnar structure well visible in SEM micrographs. (literal)

Editore

• la photograph (Editore)

Prodotto di

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)

Autore CNR

• MARINA PORCHIA (Unità di personale interno)
• ROSALBA GERBASI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Chemical vapor deposition of ZrO2 thin films from zirconium precursors containing N-ligands" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)

Autore CNR di

• MARINA PORCHIA (Unità di personale interno)
• ROSALBA GERBASI (Unità di personale interno)

Editore di

• la photograph (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Chemical vapor deposition of ZrO2 thin films from zirconium precursors containing N-ligands" (Insieme di parole chiave)