A new precursor for InP growth via MOVPE : [Et2InNMe2]2. (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • A new precursor for InP growth via MOVPE : [Et2InNMe2]2. (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 1993-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • A.Camporese; V. Corrado; G. Rossetto; M. Porchia; B. Ballarin; G. Torzo; D. Ajò; P. Zanella; R. Franzheld (1993)
    A new precursor for InP growth via MOVPE : [Et2InNMe2]2.
    in Syntheses and Methodologies in Inorganic Chemistry, New Compounds and Materials, Bressanone, 29 novembre-4 dicembre 1993
    (literal)
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  • A.Camporese; V. Corrado; G. Rossetto; M. Porchia; B. Ballarin; G. Torzo; D. Ajò; P. Zanella; R. Franzheld (literal)
Pagina inizio
  • 349 (literal)
Pagina fine
  • 352 (literal)
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  • Syntheses and Methodologies in Inorganic Chemistry, New Compounds and Materials (literal)
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  • 4 (literal)
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  • 4 (literal)
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  • 1-8 CNR -ICTIMA Corso Stati Uniti,4 Padova (Italy) 9 Leipzig University. Dept. Chemistry, TA, Leipzig (Germany) (literal)
Titolo
  • A new precursor for InP growth via MOVPE : [Et2InNMe2]2. (literal)
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  • S. Daolio; E. Tondello; P.A. Vigato (literal)
Abstract
  • Epitaxial InP has been grown via MOCVD by using a new precursor and characterized mainly by low-temperature photoluminescence and Hall effect measurements. The results point to satisfactory electrical and optical proprties. (literal)
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