TEM Characterization of GaAs Nanoislands on Si (Contributo in volume (capitolo o saggio))

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in volume (capitolo o saggio) (Classe)

Label

• TEM Characterization of GaAs Nanoislands on Si (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• C. Frigeri 1, S. Bietti 2, C. Somaschini 2, N. Koguchi 2, S. Sanguinetti 2 (2011)
  TEM Characterization of GaAs Nanoislands on Si
  World Scientific, Singapore (Singapore) in Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, 2011
  (literal)

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• C. Frigeri 1, S. Bietti 2, C. Somaschini 2, N. Koguchi 2, S. Sanguinetti 2 (literal)

Pagina inizio

• 200 (literal)

Pagina fine

• 203 (literal)

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• Proceedings of International Conference Nanomeeting - 2011 Minsk, Belarus, 24 - 27 May 2011 (literal)

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• Physics, Chemistry and Application of Nanostructures (literal)

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• 1 Ist CNR IMEM, I-43100 Parma, Italy; 2 L-NESS, I-20125 Milan, Italy and Dipartimento Sci Mat, I-20125 Milan, Italy (literal)

Titolo

• TEM Characterization of GaAs Nanoislands on Si (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-981-4343-89-3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• V. E. Borisenko, S. V. Gaponenko, V. S. Gurin and C. H. Kam (literal)

Abstract

• A TEM study of GaAs nanoislands grown on (001) Si substrate by the Droplet Epitaxy technique is presented. The nanoislands turn out to be monocrystalline in perfect epitaxial relationship with Si. By X-ray microanalysis in the TEM it is also seen that the islands are stoichiometric. TEM images of the moiré fringes revealed the presence of dislocations at the nanoislands suggesting strain relaxation. (literal)

Editore

• World Scientific (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "TEM Characterization of GaAs Nanoislands on Si" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CESARE FRIGERI (Persona)

Editore di

• World Scientific (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "TEM Characterization of GaAs Nanoislands on Si" (Insieme di parole chiave)