Stimulated Self-trapped Exciton Emission in CsI:Pb (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Stimulated Self-trapped Exciton Emission in CsI:Pb (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Fabeni P. 1, Krasnikov A. 2, Nikl M. 3, Pazzi G.P. 1, Zazubovich S. 2 (2003)
    Stimulated Self-trapped Exciton Emission in CsI:Pb
    in Solid state communications (Print)
    (literal)
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  • Fabeni P. 1, Krasnikov A. 2, Nikl M. 3, Pazzi G.P. 1, Zazubovich S. 2 (literal)
Pagina inizio
  • 665 (literal)
Pagina fine
  • 669 (literal)
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  • La ricerca di nuovi materiali per laser accordabili nell'ultravioletto e' da anni un obbiettivo che sta impegnando ricercatori in tutto il mondo ed i risultati positivi sono un numero limitato. Pertanto la possibilita' di impiegare a tal fine i cristalli di CsI:Pb, pur con il limite di funzionare a bassa temperatura, rappresenta un importante contributo in questa ricerca di nuovi materiali laser. (literal)
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  • 126 (literal)
Rivista
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  • Questo articolo si caratterizza per due aspetti, uno di ricerca di base sulle caratteristiche spettroscopiche dell'eccitone autointrappolato in un cristallo di CsI drogato con Tl e l'altro per lo studio di questo cristallo come elemento attivo per un laser accordabile a stato solido nell'ultravioletto (325-350 nm) a bassa temperatura, a seguito di eccitazione con un laser XeCl (308 nm). Per il primo aspetto si e' studiata l'emissione dovuta alla ricombinazione degli elettroni, otticamente rilasciati dal Pb+, con i centri VK precedentemente creati nel cristallo con irraggiamento a 10 K mediante un laser XeCl. Per l'aspetto applicativo di questa emissione eccitonica si e' misurato sia il guadagno ottico del cristallo (3.74) sia il restringimento della banda di emissione per effetto dell'aumento della potenza di eccitazione. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1 IFAC-CNR; 2 Institute of Physics, University of Tartu – Estonia; 3 Institute of Physics AS CR –Prague - Czech Republic. (literal)
Titolo
  • Stimulated Self-trapped Exciton Emission in CsI:Pb (literal)
Abstract
  • Defects of the type of VK and Pb+ centres were created in CsI:Pb under the 4.03 eV XeCl laser line irradiation at 10 K. After irradiation, the self-trapped and localized exciton emission excited by the same XeCl laser line was observed as a result of the recombination of electrons, optically released from Pb+, with the VK centres. A strongly superlinear dependence of the emission intensity on the excitation intensity was found for the 3.65 eV emission of the self-trapped exciton. A much weaker superlinearity was observed for the visible localized exciton emission. Optical amplification of the exciton emission was considered as the most probable reason of the observed phenomenon. At 10 K, optical gain was calculated for the self-trapped exciton emission. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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