Méthodes d'analyse par rayons X en incidence rasante et études de l'ordre local dans des nanostructures de semiconducteurs obtenues par épitaxie. (Altre pubblicazioni)

Type
Label
  • Méthodes d'analyse par rayons X en incidence rasante et études de l'ordre local dans des nanostructures de semiconducteurs obtenues par épitaxie. (Altre pubblicazioni) (literal)
Anno
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • F. d'Acapito (2005)
    Méthodes d'analyse par rayons X en incidence rasante et études de l'ordre local dans des nanostructures de semiconducteurs obtenues par épitaxie.
    (literal)
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  • F. d'Acapito (literal)
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  • THÈSE présentée devant l'Université Joseph Fourier - Grenoble I pour obtenir le Diplôme d'habilitation à diriger des recherches par Francesco d'Acapito (literal)
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  • cnr-iom-ogg (literal)
Titolo
  • Méthodes d'analyse par rayons X en incidence rasante et études de l'ordre local dans des nanostructures de semiconducteurs obtenues par épitaxie. (literal)
Abstract
  • Ce mémoire représente une partie de mon travail conduit à l'European Synchrotron Radiation Facility (ESRF) au sujet de la caractérisation des surfaces des matériaux par les techniques de rayons X. Le Ch. 1 est consacré à la description de la technique de l'incidence rasante et des pro-blèmes experimentaux et instrumentaux liés à cette méthode. Une partie importante de notre travail sur la ligne de lumière synchrotron GILDA a été consacrée à la mise en oeuvre et à la gestion de la chambre pour l'acquisition des spectres de S pectroscopie d'Absorption de rayons X (XAS) en réectivité (ReEXAFS). Au sujet de la diffusion des rayons X, nous avons étudié le problème de l'optimisation de l'acquisition des don-nées sur des matériaux obtenus par implantation ionique. Le Ch. 2 est consacré au lien entre les propriétés élastiques macroscopiques des maté-riaux semiconducteurs et leur structure microscopique. Nous avons developpé une mé-thode analytique, détaillée en Sec. 2.1.2, qui permet de calculer les distances atomiques entre les diérentes composantes d'une couche d'alliage soumise à une contrainte. Nous avons utilisé la technique XAS dans l'étude des boîtes quantiques de GaN sur AlN (0001), sur des couches épaisses d'alliages de GaAsxN1-x sur GaAs, sur des boîtes quantiques de InxGa1-xAs sur GaAs. (literal)
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