Organometallic compounds as precursors for chemical vapor deposition of thin films of inorganic materials (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Organometallic compounds as precursors for chemical vapor deposition of thin films of inorganic materials (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 1998-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.282-283.123 (literal)

Alternative label

• Zanella P.; Battiston G.A.; Carta G.; Gerbasi R.; Porchia M.; Rossetto G. (1998)
  Organometallic compounds as precursors for chemical vapor deposition of thin films of inorganic materials
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Zanella P.; Battiston G.A.; Carta G.; Gerbasi R.; Porchia M.; Rossetto G. (literal)

Pagina inizio

• 123 (literal)

Pagina fine

• 130 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Conference: 2nd Yugoslav Conference on Advanced Materials (YUGOMAT II) Location: HERCEG-NOVI, YUGOSLAVIA Date: SEP 15-19, 1997 Sponsor(s): Fed Republ Yugoslavia, Min Dev Sci & Environm; Republic Serbia, Min Sci & Technol; Republic Montenegro, Min Sci & Educ (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.282-283.123 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 282-283 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 8 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1-6 Ist. Chim. Tecnologie Inorganiche M., Area della Ricerca del CNR, Corso Stati Uniti 4, 35127 Padova, Italy (literal)

Titolo

• Organometallic compounds as precursors for chemical vapor deposition of thin films of inorganic materials (literal)

Abstract

• Several studies concerning the MOCVD of In-based epitaxial materials, oxides of Ti, Zr, Hf. Tl and Pt metal have been carried out also by using new precursors. It has been found that In(CH3)2C2H, suffers disproportionation reactions, while epitaxial InP thin films of promising quality have been obtained by reaction of the new precursors [In(CH3)2Pz]2 (pz = pyrazole) and [(CH3CH2)2InN(CH3)2] 2 with PH3. The oxide thin films have been deposited both using oxygenated precursors (TiO2 and HfO2) and oxygen free precursors (ZrO2 from Zr[N(C2H5)2]4 and Tl2O3 from TlC5H5 and TlC5H4CH3). In some cases the effect of the oxygen and the thermal behaviour of the precursors have been studied. Very pure Pt films exempt from C have been obtained with the new precursor Pt[C5H4CH3][CH2CHCH2] in N2 atmosphere free of H2. -------------------------------------------------------------------------------- Reaxys Database Information | (literal)

Prodotto di

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)

Autore CNR

• ROSALBA GERBASI (Unità di personale interno)
• GILBERTO LUCIO ROSSETTO (Persona)
• MARINA PORCHIA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Organometallic compounds as precursors for chemical vapor deposition of thin films of inorganic materials" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)

Autore CNR di

• GILBERTO LUCIO ROSSETTO (Persona)
• MARINA PORCHIA (Unità di personale interno)
• ROSALBA GERBASI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Organometallic compounds as precursors for chemical vapor deposition of thin films of inorganic materials" (Insieme di parole chiave)