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Electrochemical Approaches to GaAs1-xSbx Thin Films (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Electrochemical Approaches to GaAs1-xSbx Thin Films (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 1995-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/0022-0728(94)03761-Q (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Andreoli P.; Cattarin S.; Musiani M.; Paolucci F. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/002207289403761Q (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
- Note
- Scopu (literal)
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Istituto di Polarografia ed Elettrochimica Preparativa, CNR, Corso Stati Uniti 4, 35100 Padova, Italy (literal)
- Titolo
- Electrochemical Approaches to GaAs1-xSbx Thin Films (literal)
- Abstract
- In this communication we report our attempts to extend this method to the preparation of GaAsxSb l_x via a thermally induced reaction of electrodeposited Ga with As + Sb alloys. The latter were obtained by a codeposition procedure developed by our group [9].
Since homogenous alloys can be obtained with virtually any As:Sb ratio, the method appears suitable for preparing ternary compounds of any desired stoichiometry (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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