GHz range temperature compensated devices based on quasi-epitaxial piezoelectric AlN thin and thick films (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type
Label
  • GHz range temperature compensated devices based on quasi-epitaxial piezoelectric AlN thin and thick films (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • C. Caliendo (2005)
    GHz range temperature compensated devices based on quasi-epitaxial piezoelectric AlN thin and thick films
    in MMD Meeting, Genova, 22-25 June, 2005
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • C. Caliendo (literal)
Pagina inizio
  • 315 (literal)
Pagina fine
  • 316 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume
  • MMDmeeting Matter, Materials and Devices (literal)
Note
  • Abstract (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Istituto dei Siatemi Complessi (literal)
Titolo
  • GHz range temperature compensated devices based on quasi-epitaxial piezoelectric AlN thin and thick films (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume
  • CNR, Dip. Materiali e Dispositivi (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume
  • CNR; INFM; CNISM (literal)
Editore
Prodotto di
Autore CNR

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