XPS INVESTIGATION ON AMORPHOUS SILICON NITRIDE (a-SINX) CHEMICAL-STRUCTURE (Abstract in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Abstract in rivista (Classe)

Label

• XPS INVESTIGATION ON AMORPHOUS SILICON NITRIDE (a-SINX) CHEMICAL-STRUCTURE (Abstract in rivista) (literal)

Anno

• 1988-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/sia.740120511 (literal)

Alternative label

• G.M. Ingo, N. Zacchetti, D. Della Sala, C. Coluzza (1988)
  XPS INVESTIGATION ON AMORPHOUS SILICON NITRIDE (a-SINX) CHEMICAL-STRUCTURE
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G.M. Ingo, N. Zacchetti, D. Della Sala, C. Coluzza (literal)

Pagina inizio

• 323 (literal)

Pagina fine

• 324 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 12 (literal)

Rivista

• SIA. Surface and interface analysis (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1-12 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• G.M. Ingo [1], N. Zacchetti [1], D. Della Sala [2], C. Coluzza [3] [1] Centro Sviluppo Materiali SpA, Italy [2] ENIRICERCHE SpA, MONTEROTONDO,ITALY [3] Dipartimento di Fisica, UNIVERSITA' di Roma LA SAPIENZA,00185 ROME,ITALY (literal)

Titolo

• XPS INVESTIGATION ON AMORPHOUS SILICON NITRIDE (a-SINX) CHEMICAL-STRUCTURE (literal)

Abstract

• Amorphous silicon nitride a-SiNx (0<=x<=1.6) thin films, prepared by dual ion beam sputtering, were investigated by means of high energy resolution XPS. The contribution of Si0Si4-n Nn(n=0···4) configurations to the total Si2p level was determined. The nitrogen-induced chemical shift and broadening of Si2p core level were evaluated respectively as 0.6 and 0.22 ev per attached nitrogen. Artifacts due to Ar-ion sputtering are also discussed. (literal)

Prodotto di

• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR

• GABRIEL MARIA INGO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "XPS INVESTIGATION ON AMORPHOUS SILICON NITRIDE (a-SINX) CHEMICAL-STRUCTURE" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)

Autore CNR di

• GABRIEL MARIA INGO (Unità di personale interno)

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• SIA. Surface and interface analysis (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "XPS INVESTIGATION ON AMORPHOUS SILICON NITRIDE (a-SINX) CHEMICAL-STRUCTURE" (Insieme di parole chiave)