Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti)

Type
Label
  • Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (literal)
Anno
  • 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • G. Ferro, F. Roccaforte, M.Krieger, P.Godignon, A. Schoener (2011)
    Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • G. Ferro, F. Roccaforte, M.Krieger, P.Godignon, A. Schoener (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • UCBL-Lyon, France CNR-IMM, Catania, Italy University of Erlangen, Germany CNM-CSIC, Barcelona, Spain Acreo Sweden (literal)
Titolo
  • Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (literal)
Abstract
  • Silicon carbide (SiC), due to its chemical and physical properties and large band gap, is an interesting material for the fabrication of electronic devices that have to work at high power, high temperature and/or in aggressive environments with major applications in energy saving. However, the lower maturity of the SiC technology and material cost, as compared to Silicon, limit the yield and the cost/performance ratio of device manufacturing. The last International conference dedicated to SiC material (ICSCRM2009, Oct. 11-16, 2009 Germany) has pointed out the crucial role of surface and interfaces especially if the components are used in harsh environments and under extreme conditions is in the focus. The next major improvements of SiC devices are expected to come from a better control of metal/SiC (e.g. for Schottky diodes) and SiO2/SiC (e.g. for MOSFET) interfaces. This shall lead to improved channel mobility, without losing the outstanding blocking properties of SiC, and also to an extended range for the use of contact such as Schottky type. Targeted applications are high temperatures sensors, high power and/or high voltage devices, in addition to more innovating devices based on other polytypes than the usual 4H ones (3C, 15R), which need specific material development. The main scientific objective of NetFISiC is to provide SiC material (of various polytypes) with improved and adequate functional interfaces for getting a step forward in electronic devices performance. This shall help increasing the competitiveness of European industry dealing with SiC electronics. (literal)
  • L'obiettivo scientifico principale del progetto è ottenere carburo di silicio (di vari politipi) con proprietà di interfaccia ottimizzate per il miglioramento delle prestazioni dei dispositivi elettronici. L'attività di ricerca verrà incentrata su importanti problemi correlati essenzialmente ai diodi Schottky ed ai MOSFETs. Verranno effettuati studi di base riguardanti sia gli aspetti relativi alla crescita del materiale che quelli relativi alla realizzazione di dispositivi innovativi. Infine, saranno prospettate applicazioni per le alte temperature, per l'alta potenza e per ambienti aggressivi. L'obiettivo ambizioso di NetFISiC è la formazione di una generazione di ricercatori in vari campi correlati ai semiconduttori, dalla fisica alla scienza dei materiali e l'ingegneria. Il carburo di silicio verrà preso come tecnologia emergente e mezzo appropriato per raggiungere tale scopo. In tal modo, sarà anche possibile contribuire al rafforzamento della posizione dell'Europa rispetto agli USA e Giappone nel campo della tecnologia del SiC. Nell'ambito del progetto, verranno selezionati 12 Early Stage Researchers (ESRs) e 2 Experienced Researchers (ERs), i quali verranno formati professionalmente all'interno del network, su aspetti multidisciplinari che vanno dalla crescita del materiale, alla caratterizzaziione, fino alla fabbricazione di dispositivi. Il consorzio di NetFISiC è composto da 12 partners, incluse tre aziende private ed un partner associato che curerà la parte amministrativa del progetto. Il consorzio sarà subito operativo, avendo i partner già collaborato in un precedente progetto Marie Curie denominato MANSiC (MRTN-CT-2006-035735) ed acquisito una notevole esperienza nella formazione di giovani ricercatori. (literal)
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