Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.777 (literal)

Alternative label

• R. Lo Nigro, G. Greco, L. Swanson, G. Fisichella, P. Fiorenza, F. Giannazzo, S. Di Franco, C. Bongiorno, A. Marino, G. Malandrino, F. Roccaforte (2013)
  Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Lo Nigro, G. Greco, L. Swanson, G. Fisichella, P. Fiorenza, F. Giannazzo, S. Di Franco, C. Bongiorno, A. Marino, G. Malandrino, F. Roccaforte (literal)

Pagina inizio

• 777 (literal)

Pagina fine

• 780 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• NetFISiC, Ambition Power, LAST POWER (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 740-742 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, Catania, Italy Scuola Superiore di Catania - University of Catania, Italy Department of Physics and Astronomy, University of Catania, Italy Department of Electronic Engineering, University of Catania, Italy Department of Chemistry, University of Catania, Italy (literal)

Titolo

• Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (literal)

Abstract

• This paper reports on a structural and electrical analysis of nickel oxide (NiO) films grown both on AlGaN/GaN heterostructures and on 4H-SiC epilayers. The films were grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The structural analysis showed epitaxially oriented films over the hexagonal substrates. The electrical characterization of simple devices onto AlGaN/GaN heterostructures enabled to demonstrate a dielectric constant of 11.7 and a reduction of the leakage current in insulated gate structures. On the other hand, epitaxial NiO films grown onto 4H-SiC epilayers exhibited the presence of an interfacial SiO2 layer and twinned NiO grains, and a lower dielectric constant. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Autore CNR

• Gabriele Fisichella (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• Gabriele Fisichella (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)