Transient photoresponse and incident power dependence of high-efficiency germanium quantum dot photodetectors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Transient photoresponse and incident power dependence of high-efficiency germanium quantum dot photodetectors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4759252 (literal)

Alternative label

• Liu P., Cosentino S., Le S.T., Lee S., Paine D., Zaslavsky A., Pacifici D., Mirabella S., Miritello M., Crupi I., Terrasi A. (2012)
  Transient photoresponse and incident power dependence of high-efficiency germanium quantum dot photodetectors
  in Journal of applied physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Liu P., Cosentino S., Le S.T., Lee S., Paine D., Zaslavsky A., Pacifici D., Mirabella S., Miritello M., Crupi I., Terrasi A. (literal)

Pagina inizio

• 083103 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 112 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 8 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• a Physics Department, Brown University, Providence, RI 02912, United States; b School of Engineering, Brown University, Providence, RI 02912, United States; c MATIS-IMM-CNR, Dipartimento di Fisica Ed Astronomia, Universita di Catania, Catania I-95123, Italy (literal)

Titolo

• Transient photoresponse and incident power dependence of high-efficiency germanium quantum dot photodetectors (literal)

Abstract

• We report a systematic study of time-resolved and power-dependent photoresponse in high-efficiency germanium quantum dot photodetectors (Ge-QD PDs), with internal quantum efficiencies greater than 100% over a broad wavelength, reverse bias, and incident power range. Turn-on and turn-off response times (tau(on) and tau(off)) are shown to depend on series resistance, bias, optical power, and thickness (W-QD) of the Ge-QD layer, with measured tau(off) values down to similar to 40 ns. Two different photoconduction regimes are observed at low and high reverse bias, with a transition around -3 V. A transient current overshoot phenomenon is also observed, which depends on bias and illumination power. (literal)

Prodotto di

• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)
• Salvatore Cosentino (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)
• Salvatore Cosentino (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)
• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)