Eu3+ reduction and efficient light emission in Eu2O3 films deposited on Si substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Eu3+ reduction and efficient light emission in Eu2O3 films deposited on Si substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Bellocchi G, Franzo G, Iacona F, Boninelli S, Miritello M, Cesca T, Priolo F (2012)
  Eu3+ reduction and efficient light emission in Eu2O3 films deposited on Si substrates
  in Optics express
  (literal)

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• Bellocchi G, Franzo G, Iacona F, Boninelli S, Miritello M, Cesca T, Priolo F (literal)

Pagina inizio

• 5501 (literal)

Pagina fine

• 5507 (literal)

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• http://www.opticsinfobase.org/oe/abstract.cfm?URI=OPEX-20-5-5501 (literal)

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• 20 (literal)

Rivista

• Optics express (Rivista)

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• 7 (literal)

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• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• [ 1 ] MATIS CNR IMM, I-95123 Catania, Italy [ 2 ] Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy [ 3 ] Univ Padua, Dipartimento Fis, I-35131 Padua, Italy [ 4 ] CNISM, I-35131 Padua, Italy (literal)

Titolo

• Eu3+ reduction and efficient light emission in Eu2O3 films deposited on Si substrates (literal)

Abstract

• A stable Eu3+-> Eu2+ reduction is accomplished by thermal annealing in N-2 ambient of EU2O3 films deposited by magnetron sputtering on Si substrates. Transmission electron microscopy and x-ray diffraction measurements demonstrate the occurrence of a complex reactivity at the Eu2O3/Si interface, leading to the formation of Eu2+ silicates, characterized by a very strong (the measured external quantum efficiency is about 10%) and broad room temperature photoluminescence (PL) peak centered at 590 nm. This signal is much more efficient than the Eu3+ emission, mainly consisting of a sharp PL peak at 622 nm, observed in O-2-annealed films, where the presence of a SiO2 layer at the Eu2O3/Si interface prevents Eu2+ formation. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• Gabriele Bellocchi (Unità di personale esterno)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Eu3+ reduction and efficient light emission in Eu2O3 films deposited on Si substrates" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• Gabriele Bellocchi (Unità di personale esterno)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)
• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)

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• Optics express (Rivista)

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