Fabrication of force sensors based on two-dimensional photonic crystal technology (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Fabrication of force sensors based on two-dimensional photonic crystal technology (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Stomeo, T; Grande, M; Qualtieri, A; Passaseo, A; Salhi, A; De Vittorio, M; Biallo, D; D'orazio, A; De Sario, M; Marrocco, V; Petruzzelli, V; Prudenzano, F (2007)
  Fabrication of force sensors based on two-dimensional photonic crystal technology
  in Microelectronic engineering
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Stomeo, T; Grande, M; Qualtieri, A; Passaseo, A; Salhi, A; De Vittorio, M; Biallo, D; D'orazio, A; De Sario, M; Marrocco, V; Petruzzelli, V; Prudenzano, F (literal)

Pagina inizio

• 1450 (literal)

Pagina fine

• 1453 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 84 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Lecce, CNR INFM, NNL, I-73100 Lecce, Italy; Politecn Bari, Dipartimento Elettrotecn & Elettron, I-70125 Bari, Italy; DIASS, Politecn Bari, I-74100 Taranto, Italy (literal)

Titolo

• Fabrication of force sensors based on two-dimensional photonic crystal technology (literal)

Abstract

• We propose the simulation and the fabrication of a photonic crystal (PhC) strain-sensitive structure, showing that the optical properties of photonic crystals can be used to realize sensing devices characterized by a high degree of compactness and good resolution. The force/pressure optical sensor has been realized by designing a bulk GaAs/AlGaAs photonic crystal microcavity operating in the wavelength range 1300-1400 nm. The simulations show that the resonant wavelength of the mode localized in the microcavity shifts its spectral position following a linear behaviour when a pressure ranging between 0.25 Gpa and 5 GPa is applied, thus allowing the possibility to achieve pressure resolution of 5.82 nm/GPa. High-resolution electron beam lithography technique followed by inductively coupled plasma process were used to transfer the designed geometry on the sample. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie molecolari (MD.P06.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO DE VITTORIO (Unità di personale esterno)
• ANTONIO QUALTIERI (Unità di personale esterno)
• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• ABDELMAJID SALHI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• ABDELMAJID SALHI (Unità di personale interno)
• MASSIMO DE VITTORIO (Unità di personale esterno)
• ANTONIO QUALTIERI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001) (Modulo)
• Nanotecnologie molecolari (MD.P06.007.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Microelectronic engineering (Rivista)